TLC274CDR

TLC274CDR sind vierfache Operationsverstärker, die einen großen Bereich von Eingangs-Offset-Spannungswerten und einen niedrigen Offset-Spannungsdrift sowie eine hohe Eingangsimpedanz, ein geringes Rauschen und Geschwindigkeiten, die sich denen universeller BiFET-Bausteine annähern, vereinen. Diese Bausteine verwenden die Silizium-Gate-LinCMOS™-Technologie von Texas Instruments, die eine Stabilität der Offset-Spannung bietet, welche die mit herkömmlichen Metall-Gate-Verfahren erhältliche Stabilität deutlich übertrifft. Dank der äußerst hohen Eingangsimpedanz, der niedrigen Vorspannungsströme und der hohen Anstiegsraten eignen sich diese Bausteine hervorragend für Anwendungen, die vorher BiFET- und NFET-Produkten vorbehalten waren. Dank dieser Vorteile, in Kombination mit einer guten Gleichtaktunterdrückung und Versorgungsspannungsunterdrückung, sind diese Bausteine sowohl eine gute Wahl für neue, moderne Designs als auch eine ideale Option zum Upgrade bestehender Designs. Generell sind viele Funktionen, die mit der Bipolar-Technologie in Verbindung gebracht werden, erhältlich in LinCMOS™-Operationsverstärkern, ohne die Leistungseinschränkungen der Bipolar-Technologie.

• Betrieb mit einer Spannungsversorgung
• Eingangs-Offset-Spannungsdrift, typ.: 0.1μV/Monat, einschließlich der ersten 30 Tage
• Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich reicht bis unter die negative Eingangsspannung
• Ausgangsspannungsbereich umfasst negative Spannungen
• ESD-Schutzschaltung
• Integrierter Latch-Up-Schutz
• Hohe Eingangsimpedanz, typ.: 10¹²Ω
• Geringes Rauschen, typ.: 25nV/√Hz bei f=1kHz
• Umweltfreundliches Produkt, frei von Sb/Br

Anwendungen

Signalverarbeitung