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TSM2307CX RFG
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerTSM2307CX RFG
Bestellnummer2611577
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | CHF 0.615 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerTSM2307CX RFG
Bestellnummer2611577
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.076ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung1.25W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.076ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
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