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STW12N150K5
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW12N150K5
Bestellnummer3367080
ProduktpaletteMDmesh K5
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 7.780 |
| 5+ | CHF 7.730 |
| 10+ | CHF 7.690 |
| 50+ | CHF 4.350 |
| 100+ | CHF 4.210 |
| 250+ | CHF 4.060 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 7.78 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW12N150K5
Bestellnummer3367080
ProduktpaletteMDmesh K5
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1.5kV
Dauer-Drainstrom Id7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.6ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh K5
Qualifikation-
Produktbeschreibung
STW12N150K5 is a N-channel MDmesh™ K5 power MOSFET. It is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Suitable for switching applications.
- Industry’s lowest RDS(on) area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected
- 1500V min drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TCASE = 25°C)
- 1µA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 1500V, TCASE = 25°C)
- 4V typ gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 100µA, TCASE = 25°C)
- 1.6ohm typ static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 3.5A, TCASE = 25°C)
- 1360pF typ input capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 80pF typ output capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 47nC typ total gate charge (VDD = 1200V, ID = 7A, VGS = 10V, TCASE = 25°C)
- TO-247 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
1.5kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.6ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh K5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00443