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STW11NK100Z
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW11NK100Z
Bestellnummer1468004
ProduktpaletteSTW
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.760 |
| 10+ | CHF 3.710 |
| 100+ | CHF 2.900 |
| 500+ | CHF 2.570 |
| 1000+ | CHF 2.560 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 3.76 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW11NK100Z
Bestellnummer1468004
ProduktpaletteSTW
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Dauer-Drainstrom Id8.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.38ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.75V
Verlustleistung230W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSTW
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
Beim Modell STW11NK100Z handelt es sich um einen mit einer Zener-Diode geschützten n-Kanal-Leistungs-MOSFET für 1000V mit SuperMESH™-Technologie, die durch die Optimierung des bewährten Strip-basierten PowerMESH™-Layouts erreicht wurde. Neben einer erheblichen Senkung des ON-Widerstands bietet dieser MOSFET ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen. Durch die verbesserte Gate-Ladung und geringere Leistungsverluste werden die heutigen hohen Anforderungen an den Wirkungsgrad erfüllt.
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- 100% Avalanche-getestet
- Minimierte Gate-Ladung
- Sehr niedrige intrinsische Kapazität
- Sehr gute Wiederholbarkeit bei der Herstellung
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.3A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
230W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.38ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.75V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
STW
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Nein
RoHS-Phthalate-konform:Nein
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.010433