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STP9NK70Z
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP9NK70Z
Bestellnummer1752176
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.520 |
| 10+ | CHF 1.090 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP9NK70Z
Bestellnummer1752176
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.75V
Verlustleistung115W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
115W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.75V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Morocco
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Morocco
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002722