Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Menge | |
---|---|
1+ | CHF 3.220 |
10+ | CHF 1.460 |
100+ | CHF 1.410 |
500+ | CHF 1.360 |
1000+ | CHF 1.320 |
5000+ | CHF 1.290 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STP8NK80ZFP handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit SuperMESH™-Technologie, Z-Schutzdiode und minimaler Gate-Ladung. Dieser SuperMESH™-MOSFET wurde durch die deutliche Optimierung des bewährten, Strip-basierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht. Neben einer erheblichen Senkung des Durchgangswiderstands bietet dieser Baustein ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen. Dieser MOSFET ergänzt das komplette Angebot an Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs von ST, einschließlich revolutionärer MDmesh™-Produkte.
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- 100% Avalanche-getestet
- Sehr gute Wiederholbarkeit bei der Herstellung
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
6.2A
TO-220FP
10V
30W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
800V
1.5ohm
Durchsteckmontage
3.75V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat