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STP8NK100Z
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP8NK100Z
Bestellnummer1097115
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.040 |
| 10+ | CHF 2.790 |
| 100+ | CHF 2.620 |
| 500+ | CHF 2.190 |
| 1000+ | CHF 2.110 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP8NK100Z
Bestellnummer1097115
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Dauer-Drainstrom Id6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.85ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.75V
Verlustleistung160W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell STP8NK100Z handelt es sich um einen mit einer Z-Diode geschützten n-Kanal-Leistungs-MOSFET für 1000V mit SuperMESH™-Technologie, die durch die Optimierung des bewährten Strip-basierten PowerMESH™-Layouts erreicht wurde. Neben einer erheblichen Senkung des ON-Widerstands bietet dieser MOSFET ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen. Durch die verbesserte Gate-Ladung und die geringeren Leistungsverluste werden die heutigen hohen Anforderungen an den Wirkungsgrad erfüllt.
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- 100% Avalanche-getestet
- Verbesserter ESD-Schutz
- Sehr niedrige intrinsische Kapazität
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6.5A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
160W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.85ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.75V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008165