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STP45N40DM2AG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP45N40DM2AG
Bestellnummer2522902
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 6.080 |
| 5+ | CHF 4.700 |
| 10+ | CHF 3.320 |
| 50+ | CHF 3.210 |
| 100+ | CHF 3.080 |
| 250+ | CHF 3.020 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP45N40DM2AG
Bestellnummer2522902
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds400V
Dauer-Drainstrom Id38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.063ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
38A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
400V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.063ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00916