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STGP10H60DF
IGBT, 20 A, 1.5 V, 115 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGP10H60DF
Bestellnummer2807167
ProduktpaletteH
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.960 |
| 10+ | CHF 0.949 |
| 100+ | CHF 0.853 |
| 500+ | CHF 0.680 |
| 1000+ | CHF 0.669 |
| 5000+ | CHF 0.657 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGP10H60DF
Bestellnummer2807167
ProduktpaletteH
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom20A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.5V
Verlustleistung115W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-220AB
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteH
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
20A
Verlustleistung
115W
Bauform - Transistor
TO-220AB
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
H
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.5V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0023