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STF12N65M5
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTF12N65M5
Bestellnummer2098201
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.100 |
| 10+ | CHF 1.090 |
| 100+ | CHF 1.080 |
| 500+ | CHF 1.070 |
| 1000+ | CHF 1.060 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTF12N65M5
Bestellnummer2098201
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.39ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung25W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.5A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.39ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.19
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