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STD20NF20
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD20NF20
Bestellnummer4319974
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 53 Woche(n)
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| Menge | |
|---|---|
| 2500+ | CHF 0.839 |
| 7500+ | CHF 0.822 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 2500
Mehrere: 2500
CHF 2’097.50 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD20NF20
Bestellnummer4319974
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.125ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung90W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
90W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.125ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00031
Produktnachverfolgung