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STD16N50M2
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD16N50M2
Bestellnummer3367018
ProduktpaletteMDmesh M2
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.730 |
| 10+ | CHF 1.130 |
| 100+ | CHF 0.784 |
| 500+ | CHF 0.699 |
| 1000+ | CHF 0.614 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD16N50M2
Bestellnummer3367018
ProduktpaletteMDmesh M2
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.28ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung110W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh M2
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
110W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.28ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00033
Produktnachverfolgung