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MJE2955T
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerMJE2955T
Bestellnummer9802452
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom10A
Verlustleistung75W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz2MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.20hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The MJE2955T is a -60V Silicon Epitaxial Base PNP Power Transistor intended for power switching circuits and general purpose amplifiers. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the MJE3055T
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
10A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
20hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
75W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
2MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJE2955T
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907