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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerBD911
Bestellnummer1084518
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom15A
Verlustleistung90W
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz3MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BD911 von STMicroelectronics ist ein komplementärer NPN-Leistungstransistor in einem TO-220-Gehäuse zur Durchsteckmontage. Bei der Herstellung dieses Bausteins kommt die Epitaxial-Planar-Technologie zum Einsatz.
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 100V
- Kollektorstrom (Ic): 15A
- Verlustleistung (Pd): 90W
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung bei 10A Kollektorstrom: 3V
- DC-Stromverstärkung (hFE) bei einem Kollektorstrom von 10A: 5
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: ab 150°C
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
15A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
90W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
3MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536