Seite drucken
2STBN15D100
Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 70 W, 12 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
Herstellerteilenummer2STBN15D100
Bestellnummer2344074RL
Technisches Datenblatt
13’002 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab CHF 0.00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 50+ | CHF 0.881 |
| 200+ | CHF 0.708 |
| 500+ | CHF 0.560 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
CHF 93.10 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von CHF 5.00 an
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
Herstellerteilenummer2STBN15D100
Bestellnummer2344074RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd70W
Dauerkollektorstrom12A
Verlustleistung70W
DC-Kollektorstrom12A
Bauform - HF-TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE750hFE
TransistormontageOberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.750hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The 2STBN15D100 is a NPN low voltage power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. It is suitable for use with linear and switching industrial equipment.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
Dauerkollektorstrom
12A
DC-Kollektorstrom
12A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung Pd
70W
Verlustleistung
70W
Bauform - HF-Transistor
TO-263 (D2PAK)
DC-Stromverstärkung hFE
750hFE
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
750hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001926