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RTQ035P02HZGTR
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRTQ035P02HZGTR
Bestellnummer3261735
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.065ohm
Bauform - TransistorTSMT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung1.25W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.5A
Bauform - Transistor
TSMT
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.065ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.027