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RS3G160ATTB1
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 5000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | CHF 1.110 |
| 1000+ | CHF 1.060 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRS3G160ATTB1
Bestellnummer3639772RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätp-Kanal
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id16A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.005ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand5000µohm
Bauform - TransistorSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung Pd2W
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.005ohm
Bauform - Transistor
SOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
2W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
5000µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00121
Produktnachverfolgung