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RQ6E050ATTCR
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.423 |
| 10+ | CHF 0.359 |
| 100+ | CHF 0.274 |
| 500+ | CHF 0.238 |
| 1000+ | CHF 0.214 |
| 5000+ | CHF 0.176 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRQ6E050ATTCR
Bestellnummer2490245
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.021ohm
Bauform - TransistorTSMT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung1.25W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5A
Bauform - Transistor
TSMT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.021ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für RQ6E050ATTCR
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005577
Produktnachverfolgung