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EMD38T2R
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.304 |
| 10+ | CHF 0.184 |
| 100+ | CHF 0.117 |
| 500+ | CHF 0.0871 |
| 1000+ | CHF 0.0698 |
| 5000+ | CHF 0.0546 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerEMD38T2R
Bestellnummer3757489
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN- und PNP-Ergänzung
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R110kohm
Basis-Emitter-Widerstand R247kohm
Bauform - TransistorSOT-563
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung150mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.68hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN- und PNP-Ergänzung
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
10kohm
Bauform - Transistor
SOT-563
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
47kohm
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
150mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
68hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung