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DTB123ECHZGT116
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
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| Menge | |
|---|---|
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| 1000+ | CHF 0.042 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerDTB123ECHZGT116
Bestellnummer2706732RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom500mA
Basis-Eingangswiderstand R12.2kohm
Basis-Emitter-Widerstand R22.2kohm
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung200mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.39hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Dieses Produkt dient Evaluierungs- und Entwicklungszwecken. Bitte wenden Sie sich an Ihre örtliche ROHM-Niederlassung, wenn Sie dieses Produkt für Kfz-Anwendungen zulassen möchten.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
2.2kohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Dauerkollektorstrom
500mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
2.2kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
200mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
39hFE
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002