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2SCR587D3TL1
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 10+ | CHF 1.060 |
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| 500+ | CHF 0.574 |
| 1000+ | CHF 0.521 |
| 5000+ | CHF 0.420 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
Herstellerteilenummer2SCR587D3TL1
Bestellnummer3757482
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.120V
Dauerkollektorstrom3A
Verlustleistung10W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz250MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.120hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
120hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
120V
Verlustleistung
10W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
250MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005