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2SCR514RHZGTL
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | CHF 0.221 |
| 1000+ | CHF 0.200 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
Herstellerteilenummer2SCR514RHZGTL
Bestellnummer4158100RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom700mA
Verlustleistung500mW
Bauform - TransistorSOT-346T
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz320MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.120hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
700mA
Bauform - Transistor
SOT-346T
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
120hFE
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
500mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
320MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung