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2SC4617E3HZGTLQ
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
Herstellerteilenummer2SC4617E3HZGTLQ
Bestellnummer4069545
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom150mA
Verlustleistung150mW
Bauform - TransistorSOT-416
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz180MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.120hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
150mA
Bauform - Transistor
SOT-416
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
120hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
150mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
180MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000318