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2SAR583D3TL1
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
Herstellerteilenummer2SAR583D3TL1
Bestellnummer3757476
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom7A
Verlustleistung10W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz230MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.180hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
2SAR583D3TL1 is a PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, power transistor with low VCE(sat) suitable for low frequency amplifier.
- 3 terminal package
- 10W collector power dissipation
- Suitable for power driver
- Complementary NPN types : 2SCR583D3
- Low VCE(sat): VCE(sat)=-400mV(max.). (IC/IB=-3A/-150mA)
- Storage temperature range from -55 to 150°C
- DC current gain range from 180 to 450hFE at VCE=-3V, Ic=-1A
- 230MHz typ transition frequency at VCE=-10V, IE=1A, f-100MHz
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
7A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
180hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
10W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
230MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
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