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2SAR583D3FRATL
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
Herstellerteilenummer2SAR583D3FRATL
Bestellnummer4064758RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom7A
Verlustleistung10W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz230MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.180hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
7A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
180hFE
Produktpalette
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
10W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
230MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung