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2SAR372PHZGT100R
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.305 |
| 500+ | CHF 0.240 |
| 1000+ | CHF 0.204 |
| 5000+ | CHF 0.164 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
Technische Spezifikationen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
120V
Verlustleistung
2W
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Dauerkollektorstrom
700mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
120hFE
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000106
Produktnachverfolgung