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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerULN2003ADR2G
Bestellnummer2628016RL
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| Menge | |
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| 500+ | CHF 0.297 |
| 1000+ | CHF 0.270 |
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Produktbeschreibung
Der Baustein ULN2003ADR2G ist ein für hohe Spannungen und hohe Ströme ausgelegtes Darlington-Transistor-Array. Das auf sieben verbundenen NPN-Darlington-Transistoren basierende Array ist besonders gut für die Ansteuerung von Leuchten, Relais oder Druckerhämmern in verschiedenen Industrie- und Verbraucheranwendungen geeignet. Seine hohe Durchbruchspannung und internen Suppressordioden verhindern die mit induktiven Lasten verbundenen Probleme. Das ULx2003A mit 2.7K-Eingangswiderstand eignet sich gut für Systeme, die mit 5V-TTL- oder CMOS-Logik arbeiten.
- Integrierte Suppressordiode für induktive Lasten
- Ausgang kann für höhere Ströme parallel geschaltet werden
- TTL/CMOS/PMOS/DTL-kompatible Eingänge
- Eingangspins befinden sich gegenüber Ausgangspins für einfacheres Layout
- Ausgangsspannung: 50V
- Eingangsspannung: 30V
- Betriebsumgebungstemperatur: -20 bis +85°C
- 16-poliges SOIC-Gehäuse
Technische Spezifikationen
Versorgungsspannung, min.
-
Anzahl der Ausgänge
7Ausgänge
Ausgangsstrom
500mA
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Versorgungsspannung, max.
-
Ausgangsspannung
50V
Bauform - Treiber
SOIC
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000295