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QEB373GR
Infrarot-Emitter, 875 nm, 12 °, T-3/4 (1.8mm), 16 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQEB373GR
Bestellnummer3617612
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 19 Woche(n)
| Menge | |
|---|---|
| 1000+ | CHF 0.249 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 1000
Mehrere: 1000
CHF 249.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQEB373GR
Bestellnummer3617612
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Technisches Datenblatt
Spitzenwellenlänge875nm
Halbwertswinkel12°
Bauform - DiodeT-3/4 (1.8mm)
Strahlungsintensität (Ie)16mW/Sr
Anstiegszeit800ns
Abfallzeit tf800ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)50mA
Durchlassspannung Vf max.1.7V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.100°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Spitzenwellenlänge
875nm
Bauform - Diode
T-3/4 (1.8mm)
Anstiegszeit
800ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
50mA
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
MSL
MSL 2 - 1 Jahr
Halbwertswinkel
12°
Strahlungsintensität (Ie)
16mW/Sr
Abfallzeit tf
800ns
Durchlassspannung Vf max.
1.7V
Betriebstemperatur, max.
100°C
Produktpalette
Compute Module 3+ Series
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung