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NZT660A
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 4000+ | CHF 0.180 |
| 12000+ | CHF 0.159 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 4000
Mehrere: 4000
CHF 720.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNZT660A
Bestellnummer4319705
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom3A
Verlustleistung2W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz75MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.25hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
25hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
2W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
75MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000188
Produktnachverfolgung