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IRLS640A
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.430 |
| 10+ | CHF 1.030 |
| 100+ | CHF 0.854 |
| 500+ | CHF 0.723 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerIRLS640A
Bestellnummer3003963
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id9.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.18ohm
Bauform - TransistorTO-220F
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung40W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternativen für IRLS640A
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
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Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9.8A
Bauform - Transistor
TO-220F
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
40W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.18ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung