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FGH4L50T65SQD
IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 2.830 |
| 100+ | CHF 2.380 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGH4L50T65SQD
Bestellnummer3929763
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Verlustleistung268W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
268W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00542
Produktnachverfolgung