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2SC5569-TD-E
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1000+ | CHF 0.298 |
| 3000+ | CHF 0.272 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 1000
Mehrere: 1000
CHF 298.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SC5569-TD-E
Bestellnummer4319774
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom7A
Verlustleistung3.5W
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz330MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
7A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
3.5W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
330MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung