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TIP41BG
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
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| 500+ | CHF 0.402 |
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| 5000+ | CHF 0.312 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerTIP41BG
Bestellnummer2724384
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom6A
Verlustleistung65W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz3MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.15hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
6A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
15hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
65W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
3MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002041
Produktnachverfolgung