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SGS10N60RUFDTU
IGBT, 16 A, 2.2 V, 55 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerSGS10N60RUFDTU
Bestellnummer3615823
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom16A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.2V
Verlustleistung55W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-220FP
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
16A
Verlustleistung
55W
Bauform - Transistor
TO-220FP
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.2V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Nein
RoHS-Phthalate-konform:Nein
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1