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QSE113

Name: ONSEMI QSE113
Brand: ONSEMI
SKU: 1021147
Availability: InStock

Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerQSE113

Bestellnummer1021147

Technisches Datenblatt

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Produktspezifikationen

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerQSE113

Bestellnummer1021147

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Wellenlänge, typ.880nm

Abstrahlwinkel25°

Stromverbrauch100mW

Anzahl der Pins2Pin(s)

Bauform - TransistorRadial bedrahtet

Produktpalette-

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-

MSL-

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Produktbeschreibung

The QSE113 is a NPN silicon infrared phototransistor encapsulated in black plastic sidelooker package.

Daylight filter
High sensitivity
Blue dot marking on the top side
Power dissipation of 100mW
Operating temperature range from -40°C to 100°C
Peak sensitivity of 880nm

Technische Spezifikationen

Wellenlänge, typ.

880nm

Stromverbrauch

100mW

Bauform - Transistor

Radial bedrahtet

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Abstrahlwinkel

25°

Anzahl der Pins

2Pin(s)

Produktpalette

MSL

Technische Dokumente (1)

Technical Data Sheet EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85414900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.000159

Produktnachverfolgung