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NVMFS024N06CT1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.0183 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.470 |
| 10+ | CHF 0.979 |
| 100+ | CHF 0.674 |
| 500+ | CHF 0.542 |
| 1000+ | CHF 0.519 |
| 5000+ | CHF 0.435 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 1.47 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFS024N06CT1G
Bestellnummer3367867
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0183ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung28W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
25A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
28W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0183ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung