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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5C446NWFT1G
Bestellnummer3616955
Ihre Teilenummer
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 22 Woche(n)
| Menge | |
|---|---|
| 1500+ | CHF 1.460 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 1500
Mehrere: 1500
CHF 2’190.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5C446NWFT1G
Bestellnummer3616955
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal127A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0029ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal89W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0029ohm
Bauform - Transistor
DFN
Verlustleistung, n-Kanal
89W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1