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NVMFD5877NLWFT1G
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 39 mohm
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| Menge | |
|---|---|
| 1500+ | CHF 0.440 |
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Minimum: 1500
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5877NLWFT1G
Bestellnummer3616953
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal17A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal39mohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal23W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
39mohm
Bauform - Transistor
DFN
Verlustleistung, n-Kanal
23W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für NVMFD5877NLWFT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1