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NVMFD5877NLWFT1G
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.039 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5877NLWFT1G
Bestellnummer3616953
Ihre Teilenummer
Technisches Datenblatt
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5877NLWFT1G
Bestellnummer3616953
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal17A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.039ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal23W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternativen für NVMFD5877NLWFT1G
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.039ohm
Bauform - Transistor
DFN
Verlustleistung, n-Kanal
23W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1