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NVH4L080N120SC1
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVH4L080N120SC1
Bestellnummer3464024
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.900 |
| 5+ | CHF 8.180 |
| 10+ | CHF 7.450 |
| 50+ | CHF 7.230 |
| 100+ | CHF 6.860 |
| 250+ | CHF 6.500 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVH4L080N120SC1
Bestellnummer3464024
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id29A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.75V
Verlustleistung170W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.75V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
170W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.009684
Produktnachverfolgung