Seite drucken
NTR4503NT1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
10’496 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab CHF 0.00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.413 |
| 50+ | CHF 0.314 |
| 100+ | CHF 0.161 |
| 500+ | CHF 0.151 |
| 1500+ | CHF 0.134 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
CHF 2.06 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTR4503NT1G
Bestellnummer1431309
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.11ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.75V
Verlustleistung730mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
NTR4503NT1G ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Dauer-Drainstrom von 2A. Dieser Baustein eignet sich für die DC/DC-Umwandlung sowie als Last-/Leistungsschalter für tragbare Geräte und Computer.
- Führende Planar-Technologie für niedrige Gate-Ladung/hohe Schaltfrequenz
- 4.5V Nennspannung für Niederspannungs-Gate-Ansteuerung
- Oberflächenmontage, kleine Grundfläche (3 x 3mm)
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Tragbare Geräte, Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.5A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
730mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.11ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.75V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für NTR4503NT1G
5 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000049
Produktnachverfolgung