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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTR4171PT1G
Bestellnummer2464120RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.075ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.15V
Verlustleistung1.25W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
NTR4171PT1G ist ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -30V und einem Dauer-Drainstrom von -2.2A. Dieser MOSFET eignet sich für Lastschaltanwendungen und ist optimal für Batterie-/Akku- und Last-Management-Anwendungen in tragbaren Geräten wie Mobiltelefonen, PDAs und Media-Playern.
- Niedriger RDS(ON) bei niedriger Gate-Spannung
- Niedrige Schwellenspannung
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Tragbare Geräte, Multimedia, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.5A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.075ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.15V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für NTR4171PT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
Produktnachverfolgung