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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTD3055L104T4G
Bestellnummer2317615
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.104ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung48W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell NTD3055L104T4G handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET für Niederspannungs-High-Speed-Anwendungen in Netzteilen, Wandlern und Motorsteuerungen sowie Brückenschaltungen.
- Niedrigerer RDS(ON)
- Niedrigere VDS(ON)
- Niedrigere und engere VSD
- Kürzere Sperrerholzeit
- Niedrigere gespeicherte Sperrverzögerungsladung
- Betriebstemperatur: -55 bis 175°C
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
48W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.104ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für NTD3055L104T4G
5 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00033
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