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NJVMJD122T4G-VF01
Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNJVMJD122T4G-VF01
Bestellnummer2630301RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom8A
Verlustleistung20W
Anzahl der Pins3Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.300hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (17-Jan-2022)
Alternativen für NJVMJD122T4G-VF01
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
300hFE
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung