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NCV8412ASTT3G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 2000+ | CHF 0.526 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCV8412ASTT3G
Bestellnummer3588857RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds44V
Dauer-Drainstrom Id3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.145ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung2.2W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.9A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
44V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.145ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0034
Produktnachverfolgung