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MMBT2369ALT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 500+ | CHF 0.046 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT2369ALT1G
Bestellnummer1653624
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.15V
Dauerkollektorstrom200mA
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT2369ALT1G ist ein NPN-Bipolartransistor in einem SMD-Gehäuse für universelle Schaltanwendungen. Dieser Baustein ist ideal für energiesparende SMD-Anwendungen.
- Halogenfrei
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
200mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
15V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.08
Produktnachverfolgung