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MJE2955TG
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJE2955TG
Bestellnummer2630304
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom10A
Verlustleistung75W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz2MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.20hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MJE2955TG ist ein bipolarer 10A-PNP-Leistungstransistor, der für universelle Verstärker- und Schaltanwendungen ausgelegt ist.
- Komplementärer Baustein
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
10A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
20hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
75W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
2MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJE2955TG
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.018295
Produktnachverfolgung