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MJE15030G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
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| Menge | |
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| 10+ | CHF 0.810 |
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| 500+ | CHF 0.661 |
| 1000+ | CHF 0.611 |
| 5000+ | CHF 0.599 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJE15030G
Bestellnummer9557091
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.150V
Dauerkollektorstrom8A
Verlustleistung50W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz30MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MJE15030G ist ein komplementärer 150V-Silizium-NPN-Leistungstransistor mit Kunststoffgehäuse zur Verwendung als Hochfrequenztreiber in Audioverstärkern.
- Hohes Stromverstärkungs-Bandbreite-Produkt
- Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo = 150V)
- Emitter-Basis-Spannung (Vebo = 5V)
Anwendungen
Audio
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
150V
Verlustleistung
50W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
30MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für MJE15030G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002863
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