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MJD42CRLG
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD42CRLG
Bestellnummer3368639RL
ProduktpaletteMJD42
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom6A
Verlustleistung20W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz3MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.15hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMJD42
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
6A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
15hFE
Produktpalette
MJD42
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
3MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJD42CRLG
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung