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MJB45H11G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 0.677 |
| 100+ | CHF 0.612 |
| 500+ | CHF 0.496 |
| 1000+ | CHF 0.493 |
| 5000+ | CHF 0.483 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJB45H11G
Bestellnummer2535626
ProduktpaletteMJxxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom10A
Verlustleistung2W
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz40MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMJxxxx
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
10A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
MJxxxx
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
2W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
40MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002309
Produktnachverfolgung