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Menge | |
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100+ | CHF 0.459 |
500+ | CHF 0.356 |
1000+ | CHF 0.324 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FQD8P10TM handelt es sich um einen QFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der mithilfe der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie hergestellt wird. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu reduzieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energie zu gewährleisten. Der MOSFET eignet sich für Schaltnetzteile, Audioverstärker und Anwendungen mit variabler Schaltleistung.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 12nC
- Niedrige Crss, typ.: 30pF
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
p-Kanal
100V
0.53ohm
TO-252AA
10V
44W
3Pin(s)
-
-
p-Kanal
6.6A
0.41ohm
Oberflächenmontage
4V
44W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FQD8P10TM
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat